IGBT功(gong)率(lv)模(mo)(mo)塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構成的功(gong)率(lv)模(mo)(mo)塊，具(ju)有輸入阻抗大(da)，驅動功(gong)率(lv)小，控制電(dian)路簡單，開(kai)關損耗小，通斷速度快，工作頻率(lv)高(gao)，元件容量大(da)等(deng)優點。由于IGBT模(mo)(mo)塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一(yi)層氧化(hua)膜與發射極實(shi)現電(dian)隔離，具(ju)有出色的器件性能(neng)。廣泛應用在變(bian)(bian)(bian)頻器的主回路逆(ni)(ni)變(bian)(bian)(bian)器及一(yi)切逆(ni)(ni)變(bian)(bian)(bian)電(dian)路，即DC/AC變(bian)(bian)(bian)換中(zhong)，如伺(si)服(fu)電(dian)機(ji)，變(bian)(bian)(bian)頻器，變(bian)(bian)(bian)頻家(jia)電(dian)等(deng)領域。