這些PS6催(cui)化劑和吸附器本體氣體凈(jing)化器以高可靠性、低成本和高性能有效(xiao)地去除了大量雜質。

• 使用專門設計的雙催化和吸附工藝，為半導體應用提供高純度氣體
• 碳氫化合物（CH4）、一氧化碳（CO）和氫氣（H2）在高溫下與氧化催化劑容器中的氧氣（O2）反應，形成二氧化碳（CO2）和水（H2O），然后在環境溫度吸附器容器中去除。
• 兩個吸附器容器在凈化和再生模式之間交替，提供連續凈化
• 吸附劑再生是通過在高溫下反沖洗純化的O2來實現的
• 優化設計在流量高達16667 slpm（1000 Nm3/hr）的小占地面積內提供亞ppb性能

產地：美國

工藝：雙催化和吸附

氣體凈化：O₂

雜質去除至<1ppb：H₂O、CO、CO₂、H₂、CH₄

流量max.：15 Nm³/hr

壓降max.：<0.7 bar (70 kPa)

吸附器容器數量：2

高度H：193 cm

寬度W：89 cm

深度D：84 cm

重量(liang)：<600 kg

半導體

數據存儲

平板顯示器

發光二極管

太陽能