使用常規(gui)的光刻技術，在(zai)標準半導體周(zhou)期中(zhong)以GaAs高遷(qian)移(yi)率(lv)異(yi)質結構制造探測(ce)器(qi)(qi)。成像(xiang)傳感器(qi)(qi)在(zai)單(dan)個晶片上(shang)制造。該(gai)(gai)過程確保了等(deng)離子體檢測(ce)器(qi)(qi)參數的高度(du)均勻性(xing)和可重復性(xing)（像(xiang)素到像(xiang)素的偏差響(xiang)應度(du)在(zai)20％的范(fan)圍內(nei)）。每個檢測(ce)器(qi)(qi)單(dan)元(yuan)的室溫(wen)響(xiang)應率(lv)高達50 kV / W，具有讀出電(dian)路，在(zai)10 GHz到1 THz的頻率(lv)范(fan)圍內(nei)的等(deng)效噪聲功率(lv)為(wei)1 nW /√Hz。該(gai)(gai)檢測(ce)機制基(ji)于激發二維電(dian)子系(xi)統(tong)中(zhong)等(deng)離子體振蕩并隨(sui)后進行整流的機制。整流發生(sheng)在(zai)電(dian)子系(xi)統(tong)中(zhong)產生(sheng)的特殊缺(que)陷上(shang)。

太赫茲(zi)相(xiang)機(ji)是主(zhu)動檢(jian)測設備，需要外(wai)部THz源。提(ti)供(gong)基于IMPATT技術的太赫茲(zi)波源。所有(you)的TERA系列太赫茲(zi)成像相(xiang)機(ji)都使用具(ju)有(you)相(xiang)同(tong)功能和(he)(he)空間(jian)分辨率的相(xiang)同(tong)類型(xing)的探測器(qi)。各(ge)型(xing)號(hao)之間(jian)的差異在(zai)于其傳感(gan)器(qi)陣(zhen)列中的像素數量及其有(you)效成像區域。除了標準THz相(xiang)機(ji)機(ji)型(xing)號(hao)外(wai)，還提(ti)供(gong)定(ding)制(zhi)的解(jie)決方(fang)案，以滿足各(ge)種配置(zhi)和(he)(he)幾何形狀要求。