在(zai)新(xin)能源(yuan)汽車(che)(che)開發中(zhong)，主動(dong)放(fang)電電路的設(she)計是不可或缺(que)的一環。所謂主動(dong)放(fang)電，就是指新(xin)能源(yuan)汽車(che)(che)高(gao)壓系(xi)統中(zhong)，用(yong)于(yu)快(kuai)速釋放(fang)母線電容殘余能量的關鍵電路。

要(yao)知道，當車輛(liang)斷電(dian)或(huo)發(fa)生故障時，在高壓(ya)(ya)電(dian)池(chi)與電(dian)機控(kong)制器之間(jian)的(de)(de)母線(xian)電(dian)容上(shang)可能(neng)儲存數百伏的(de)(de)高壓(ya)(ya)電(dian)，這有可能(neng)造(zao)成(cheng)人員(yuan)觸電(dian)或(huo)元器件損壞的(de)(de)風險，因(yin)此需要(yao)通過專門的(de)(de)泄放電(dian)路(lu)，以(yi)受控(kong)的(de)(de)方式在短(duan)時間(jian)內（通常要(yao)求 3 秒(miao)內）將母線(xian)電(dian)壓(ya)(ya)降至 60 V 以(yi)下的(de)(de)安(an)(an)全(quan)電(dian)壓(ya)(ya)，進而滿足系(xi)統可靠性和維修安(an)(an)全(quan)性的(de)(de)要(yao)求。這個(ge)重要(yao)的(de)(de)職責，就是由主(zhu)動(dong)放電(dian)電(dian)路(lu)來完成(cheng)的(de)(de)。

主動(dong)放電(dian)的工作原理是，在(zai)控(kong)制(zhi)器(qi)(qi)的實(shi)時監控(kong)下，通過控(kong)制(zhi)功率開(kai)關器(qi)(qi)件(jian)（如 MOSFET ），將(jiang)母線電(dian)容能(neng)量(liang)導向放電(dian)電(dian)阻，以熱(re)能(neng)形式(shi)耗散，直至達到安全值。與被動(dong)放電(dian)方案相比，主動(dong)放電(dian)電(dian)路具有響應(ying)迅速、放電(dian)速度快、可控(kong)性強(qiang)、綜合能(neng)耗低(di)等優勢，不過其系統架(jia)構較復(fu)雜，相應(ying)地技(ji)術(shu)門(men)檻也(ye)更高。

為了(le)減低主動(dong)放電電路設(she)計的(de)(de)技術門(men)檻，加速(su)方案(an)的(de)(de)開發，Vishay 基于(yu)自身(shen)豐富的(de)(de)高(gao)性能元器件產品組合，以及深厚的(de)(de)專(zhuan)業經(jing)驗，推(tui)出了(le)針對 400 V 和 800 V 系統的(de)(de)兩款(kuan)主動(dong)放電電路的(de)(de)參考(kao)設(she)計。

在 Vishay 主動(dong)放電(dian)(dian)電(dian)(dian)路參考(kao)設計(ji)的(de)(de) BOM 中，既(ji)包括了(le)其(qi)性能(neng)出眾的(de)(de)高(gao)脈沖負載表面貼裝線繞(rao)電(dian)(dian)阻、碳膜(mo) MELF 電(dian)(dian)阻和厚(hou)膜(mo)技(ji)術電(dian)(dian)阻等無源元件(jian)，也集(ji)成了(le)獨具特(te)色的(de)(de)高(gao)壓功(gong)率 MOSFET 和光電(dian)(dian)隔離柵極驅動(dong)等半導體分立器(qi)件(jian)，從選料和設計(ji)上(shang)(shang)都是針對最終應(ying)用需求精(jing)心優化(hua)的(de)(de)成果，這無疑會為(wei)開發者在主動(dong)放電(dian)(dian)電(dian)(dian)路設計(ji)上(shang)(shang)有效減負。

① 400 V 系統(tong)參考(kao)設計：滿足 600 μF 電容(rong)器在(zai)不到 2 秒內將 DC-Link 母線電壓從 450 V 放電至 60 V。

② 800 V 系統(tong)參考設計：滿足 500 μF 電(dian)容(rong)器在不到 2 秒內將 DC-Link 母線電(dian)壓從 850 V 放電(dian)至 60 V。