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Vishay Siliconix SiRS5700DP 溝道功率 MOSFET

閱讀次數:319    2024-11-27 17:25:28

Vishay 推出(chu)采(cai)用 PowerPAK SO-8S(QFN 6 x 5)封裝的(de)(de)全(quan)新 150 V TrenchFET Gen V N 溝道(dao)功率 MOSFET,旨在提高通(tong)信、工業和計(ji)算應用領域(yu)的(de)(de)效(xiao)率和功率密(mi)度。與(yu)上(shang)一代采(cai)用 PowerPAK SO-8 封裝的(de)(de)器件相比(bi),Vishay Siliconix SiRS5700DP 的(de)(de)總導通(tong)電(dian)(dian)阻降低了(le)(le) 68.3 %,導通(tong)電(dian)(dian)阻和柵極電(dian)(dian)荷乘積(ji)(功率轉換(huan)應用中 MOSFET 的(de)(de)關(guan)鍵品質(zhi)因數( FOM )降低了(le)(le) 15.4 %,RthJC 降低了(le)(le) 62.5 %,而連(lian)續漏極電(dian)(dian)流增加了(le)(le) 179 %。

日前發布(bu)的(de)器件具(ju)有業內先(xian)進的(de)導(dao)通電(dian)(dian)阻(10 V 時(shi)為 5.6 mΩ)以(yi)及導(dao)通電(dian)(dian)阻和柵極電(dian)(dian)荷乘積 FOM(336 mΩ*nC),可最大限(xian)度降低傳導(dao)造成的(de)功率損耗。因(yin)此,設(she)計(ji)人(ren)員能夠提高效率,滿足下一代電(dian)(dian)源的(de)要(yao)求,例如 6 kW AI 服務(wu)器電(dian)(dian)源系(xi)統。此外,PowerPAK SO-8S 封裝具(ju)有超(chao)低的(de) 0.45 °C/W RthJC,可實現高達 144 A 的(de)持(chi)續漏極電(dian)(dian)流,從而提高功率密(mi)度,同(tong)時(shi)提供強大的(de) SOA 能力。

SiRS5700DP 非常適合(he)同步整流、DC/DC 轉換、熱插拔開關和(he) OR-ing 功能。典型應用包括服(fu)務器(qi)、邊緣計(ji)算(suan)、超級計(ji)算(suan)機(ji)和(he)數據存(cun)儲(chu);通信電(dian)源;太陽能逆(ni)變器(qi);電(dian)機(ji)驅動(dong)和(he)電(dian)動(dong)工具;以(yi)及電(dian)池管理(li)系統。MOSFET 符合(he) RoHS 標(biao)(biao)準(zhun)且無鹵素,經(jing)過 100 % Rg 和(he) UIS 測試,符合(he) IPC-9701 標(biao)(biao)準(zhun),可實現更加可靠的溫度(du)循(xun)環。器(qi)件的標(biao)(biao)準(zhun)尺寸(cun)為 6 mm × 5 mm,完全兼容(rong) PowerPAK SO-8 封裝(zhuang)。


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